Hersteller Produktnummer:
NVTFS5116PLTWG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVTFS5116PLTWG-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventar:
14770 Stück Neu Original Auf Lager
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NVTFS5116PLTWG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1258 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
NVTFS5116
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
NVTFS5116PLTWGOSDKR
NVTFS5116PLTWG-DG
NVTFS5116PLTWGOSCT
NVTFS5116PLTWGOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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