Hersteller Produktnummer:
IRF644N
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRF644N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12909149
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Menge
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IRF644N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1060 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF644
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF644N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF644PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1392
TEILNUMMER
IRF644PBF-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TK13E25D,S1X(S
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
44
TEILNUMMER
TK13E25D,S1X(S-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFB4229PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
993
TEILNUMMER
IRFB4229PBF-DG
Einheitspreis
1.48
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP17NF25
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2020
TEILNUMMER
STP17NF25-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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