IRF510STRRPBF
Hersteller Produktnummer:

IRF510STRRPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF510STRRPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

1558 Stück Neu Original Auf Lager
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IRF510STRRPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF510

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRF510STRRPBF
HTML-Datenblatt
IRF510STRRPBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
IRF510STRRPBF-DG
IRF510STRRPBFCT
IRF510STRRPBFTR
IRF510STRRPBFDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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