Hersteller Produktnummer:
IRFD213
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFD213-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12893291
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Menge
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EINREICHEN
IRFD213 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
450mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-HVMDIP
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Produktnummer
IRFD213
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFD214PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFD214PBF-DG
Einheitspreis
0.51
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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