2N6661-2
Hersteller Produktnummer:

2N6661-2

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

2N6661-2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventar:

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12893005
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2N6661-2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
90 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Basis-Produktnummer
2N6661

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
20

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
2N6661
HERSTELLER
Solid State Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
6694
TEILNUMMER
2N6661-DG
Einheitspreis
4.60
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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