AO3416A
Hersteller Produktnummer:

AO3416A

Product Overview

Hersteller:

UMW

Teilenummer:

AO3416A-DG

Beschreibung:

20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventar:

2815 Stück Neu Original Auf Lager
12991425
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

AO3416A Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
UMW
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
UMW
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1650 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4518-AO3416ATR
4518-AO3416ACT
4518-AO3416ADKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
utd-semiconductor

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

utd-semiconductor

1N60L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET