2N65G
Hersteller Produktnummer:

2N65G

Product Overview

Hersteller:

UMW

Teilenummer:

2N65G-DG

Beschreibung:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 2A (Tj) Surface Mount SOT-223

Inventar:

2453 Stück Neu Original Auf Lager
12991426
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

2N65G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
UMW
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
UMW
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
311 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2N65G
HTML-Datenblatt
2N65G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
4518-2N65GDKR
4518-2N65GCT
4518-2N65GTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

utd-semiconductor

1N60L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

AIMBG120R060M1XTMA1

SIC_DISCRETE

utd-semiconductor

SI2328A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R