Hersteller Produktnummer:
TPH3206PSB
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TPH3206PSB-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13445913
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TPH3206PSB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 480 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
81W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TPH3206
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TP65H150G4PS
HERSTELLER
Transphorm
VERFÜGBARE ANZAHL
3165
TEILNUMMER
TP65H150G4PS-DG
Einheitspreis
3.27
ERSATZART
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