Hersteller Produktnummer:
TP65H480G4JSG-TR
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TP65H480G4JSG-TR-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
Inventar:
2915 Stück Neu Original Auf Lager
12948221
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TP65H480G4JSG-TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
13.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
3-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
3-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TP65H480
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
1707-TP65H480G4JSG-TR
1707-TP65H480G4JSG-DKR
1707-TP65H480G4JSG-CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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