Hersteller Produktnummer:
STW68N65DM6-4AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW68N65DM6-4AG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 72A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
596 Stück Neu Original Auf Lager
12948255
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EINREICHEN
STW68N65DM6-4AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5900 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
480W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
STW68
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-STW68N65DM6-4AG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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