IPA029N06NM5SXKSA1
Hersteller Produktnummer:

IPA029N06NM5SXKSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPA029N06NM5SXKSA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Inventar:

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IPA029N06NM5SXKSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 87A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 36µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5300 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA029

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001953044
448-IPA029N06NM5SXKSA1
2156-IPA029N06NM5SXKSA1-448

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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