Hersteller Produktnummer:
TP65H035G4QS
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TP65H035G4QS-DG
Beschreibung:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL
Inventar:
13259168
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TP65H035G4QS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperGaN®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TOLL
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
DIGI-Zertifizierung
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