Hersteller Produktnummer:
TP65H050G4YS
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TP65H050G4YS-DG
Beschreibung:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
450 Stück Neu Original Auf Lager
13259175
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TP65H050G4YS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
Tube
Reihe
SuperGaN®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
132W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4L
Paket / Koffer
TO-247-4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Andere Namen
1707-TP65H050G4YS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
DIGI-Zertifizierung
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