Hersteller Produktnummer:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XPW4R10ANB,L1XHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventar:
16106 Stück Neu Original Auf Lager
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XPW4R10ANB,L1XHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4970 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DSOP Advance
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR
264-XPW4R10ANB,L1XHQTR
264-XPW4R10ANB,L1XHQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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