Hersteller Produktnummer:
IRF100P218AKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF100P218AKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
12949151
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IRF100P218AKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
209A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 278µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
412 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
24000 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 556W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
SP005537804
448-IRF100P218AKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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