Hersteller Produktnummer:
XPN6R706NC,L1XHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XPN6R706NC,L1XHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Inventar:
29285 Stück Neu Original Auf Lager
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XPN6R706NC,L1XHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
XPN6R706
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-XPN6R706NCL1XHQTR
XPN6R706NC,L1XHQ(O
264-XPN6R706NCL1XHQCT
264-XPN6R706NCL1XHQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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