Hersteller Produktnummer:
TK1R4S04PB,LXHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK1R4S04PB,LXHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
2892 Stück Neu Original Auf Lager
12938227
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TK1R4S04PB,LXHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 60A, 6V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK1R4S04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
264-TK1R4S04PBLXHQDKR
264-TK1R4S04PBLXHQCT
264-TK1R4S04PBLXHQTR
TK1R4S04PB,LXHQ(O
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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