Hersteller Produktnummer:
XPH2R106NC,L1XHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XPH2R106NC,L1XHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
3839 Stück Neu Original Auf Lager
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XPH2R106NC,L1XHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6900 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
XPH2R106
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-XPH2R106NCL1XHQCT
XPH2R106NC,L1XHQ(O
264-XPH2R106NCL1XHQTR
264-XPH2R106NCL1XHQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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