Hersteller Produktnummer:
RF1S4N100SM9A
Product Overview
Hersteller:
Harris Corporation
Teilenummer:
RF1S4N100SM9A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventar:
187 Stück Neu Original Auf Lager
12954463
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RF1S4N100SM9A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263AB
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
89
Andere Namen
2156-RF1S4N100SM9A
HARHARRF1S4N100SM9A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
APT1201R4BLLG
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
BUK9245-55A/C1118
N-CHANNEL POWER MOSFET
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
