TPWR8004PL,L1Q
Hersteller Produktnummer:

TPWR8004PL,L1Q

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TPWR8004PL,L1Q-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

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TPWR8004PL,L1Q Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9600 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DSOP Advance
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
TPWR8004

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPWR8004PLL1QDKR
TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PLL1QTR
TPWR8004PLL1QCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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