Hersteller Produktnummer:
DMN1019UVT-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1019UVT-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventar:
6295 Stück Neu Original Auf Lager
12890219
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DMN1019UVT-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50.4 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2588 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.73W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
DMN1019
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN1019UVT-7DIDKR
DMN1019UVT-7DICT
DMN1019UVT-7DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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