Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
TPN7R504PL,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN7R504PL,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
3126 Stück Neu Original Auf Lager
12920979
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPN7R504PL,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2040 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN7R504
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TPN7R504PL,LQ
HTML-Datenblatt
TPN7R504PL,LQ-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-TPN7R504PLLQDKR
TPN7R504PL,LQ(S
264-TPN7R504PLLQTR
264-TPN7R504PLLQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
FDPF12N50T
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F