TPN7R504PL,LQ
Hersteller Produktnummer:

TPN7R504PL,LQ

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TPN7R504PL,LQ-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventar:

3126 Stück Neu Original Auf Lager
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TPN7R504PL,LQ Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2040 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN7R504

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-TPN7R504PLLQDKR
TPN7R504PL,LQ(S
264-TPN7R504PLLQTR
264-TPN7R504PLLQCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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