Hersteller Produktnummer:
TPWR6003PL,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPWR6003PL,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventar:
10386 Stück Neu Original Auf Lager
12920996
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPWR6003PL,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10000 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DSOP Advance
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
TPWR6003
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPWR6003PLL1QTR
264-TPWR6003PLL1QCT
264-TPWR6003PLL1QDKR
TPWR6003PL,L1Q(M
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
FDPF12N50T
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
