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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
TPN4R203NC,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN4R203NC,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
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TPN4R203NC,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1370 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN4R203
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TPN4R203NC
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPN4R203NCL1QDKR
TPN4R203NCL1QCT
TPN4R203NCL1QTR
TPN4R203NC,L1Q(M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFH8324TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5744
TEILNUMMER
IRFH8324TRPBF-DG
Einheitspreis
0.26
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