Hersteller Produktnummer:
TK9P65W,RQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK9P65W,RQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 9.3A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12890618
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TK9P65W,RQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 350µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK9P65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK9P65WRQCT
TK9P65WRQDKR
TK9P65W,RQ(S
TK9P65WRQTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD60R600P7SAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9704
TEILNUMMER
IPD60R600P7SAUMA1-DG
Einheitspreis
0.25
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