TPH9R00CQH,LQ
Hersteller Produktnummer:

TPH9R00CQH,LQ

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TPH9R00CQH,LQ-DG

Beschreibung:

UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Inventar:

9115 Stück Neu Original Auf Lager
12977639
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

TPH9R00CQH,LQ Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5400 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPH9R00CQHLQCT
264-TPH9R00CQHLQTR
264-TPH9R00CQHLQDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FDS9435ANBAD008

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

rohm-semi

RD3U041AAFRATL

MOSFET N-CH 250V 4A TO252

vishay-siliconix

SIHG11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

vishay-siliconix

IRFZ24PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB