Hersteller Produktnummer:
RD3U041AAFRATL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RD3U041AAFRATL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 4A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
1337 Stück Neu Original Auf Lager
12977655
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RD3U041AAFRATL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
29W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RD3U041
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RD3U041AAFRATLTR
846-RD3U041AAFRATLCT
846-RD3U041AAFRATLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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