Hersteller Produktnummer:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
12890829
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TPCF8201(TE85L,F,M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
590pF @ 10V
Leistung - Max
330mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
VS-8 (2.9x1.5)
Basis-Produktnummer
TPCF8201
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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