Hersteller Produktnummer:
SSM6N16FUTE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6N16FUTE85LF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventar:
3590 Stück Neu Original Auf Lager
12890988
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SSM6N16FUTE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.3pF @ 3V
Leistung - Max
200mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
SSM6N16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6N16FU(TE85L,F)
SSM6N16FUTE85LFTR
SSM6N16FUTE85LFDKR
SSM6N16FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85LF)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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