Hersteller Produktnummer:
TPCC8093,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCC8093,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
12890936
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TPCC8093,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSVII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1860 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPCC8093
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPCC8093L1Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC046N02KSGAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
19920
TEILNUMMER
BSC046N02KSGAUMA1-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
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