Hersteller Produktnummer:
TK62N60X,S1F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK62N60X,S1F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
102 Stück Neu Original Auf Lager
12890941
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TK62N60X,S1F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 3.1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6500 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
TK62N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
TK62N60XS1F
TK62N60X,S1F(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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