Hersteller Produktnummer:
TPC8212-H(TE12LQ,M
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC8212-H(TE12LQ,M-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventar:
12891085
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TPC8212-H(TE12LQ,M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
840pF @ 10V
Leistung - Max
450mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP (5.5x6.0)
Basis-Produktnummer
TPC8212
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN3033LSD-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2251
TEILNUMMER
DMN3033LSD-13-DG
Einheitspreis
0.21
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