Hersteller Produktnummer:
FDS6912A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS6912A-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
6968 Stück Neu Original Auf Lager
12849585
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FDS6912A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
575pF @ 15V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS69
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-FDS6912A-OS
FAIFSCFDS6912A
FDS6912ATR
FDS6912ADKR
FDS6912ACT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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