Hersteller Produktnummer:
TPC6111(TE85L,F,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC6111(TE85L,F,M)-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Inventar:
12891146
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TPC6111(TE85L,F,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
TPC6111
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPC6111TE85LFDKR
TPC6111(TE85L,F)
TPC6111TE85LFDKR-DG
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFTR
TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111(TE85LFM)TR
TPC6111(TE85LFM)DKR
TPC6111TE85LFCT-DG
TPC6111TE85LFTR-DG
TPC6111TE85LFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP2035UVTQ-7
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DMP2035UVTQ-7-DG
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0.10
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