Hersteller Produktnummer:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK58E06N1,S1X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12891154
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Menge
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TK58E06N1,S1X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK58E06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDP047N08
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
4680
TEILNUMMER
FDP047N08-DG
Einheitspreis
1.45
ERSATZART
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