Hersteller Produktnummer:
TPC6110(TE85L,F,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC6110(TE85L,F,M)-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 4.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Inventar:
12890427
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TPC6110(TE85L,F,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
510 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
TPC6110
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPC6110(TE85LFM)
TPC6110TE85LFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTGS4111PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
36278
TEILNUMMER
NTGS4111PT1G-DG
Einheitspreis
0.15
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