Hersteller Produktnummer:
FDC658P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDC658P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
2211 Stück Neu Original Auf Lager
12849028
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FDC658P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
750 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
FDC658
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDC658PDKR
FDC658PTR
FDC658P-DG
FDC658PCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTGS4111PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
36278
TEILNUMMER
NTGS4111PT1G-DG
Einheitspreis
0.15
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