Hersteller Produktnummer:
TPC6109-H(TE85L,FM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC6109-H(TE85L,FM-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Inventar:
12891136
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TPC6109-H(TE85L,FM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIII-H
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
490 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
TPC6109
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPC6109-HTE85LFDKR-DG
TPC6109-HTE85LFTR
TPC6109-H(TE85LFMTR
TPC6109-HTE85LFCT
TPC6109-H(TE85L,F)
TPC6109-H(TE85LFMDKR
TPC6109-H(TE85LFMCT
TPC6109-HTE85LFDKR
TPC6109-HTE85LFCT-DG
TPC6109-HTE85LFTR-DG
TPC6109HTE85LFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RRQ045P03TR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
785
TEILNUMMER
RRQ045P03TR-DG
Einheitspreis
0.30
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