Hersteller Produktnummer:
TPC6010-H(TE85L,FM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC6010-H(TE85L,FM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Inventar:
12890407
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TPC6010-H(TE85L,FM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSVI-H
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
830 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
TPC6010
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDC5661N-F085
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
19922
TEILNUMMER
FDC5661N-F085-DG
Einheitspreis
0.17
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