Hersteller Produktnummer:
TK40A10N1,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK40A10N1,S4X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
50 Stück Neu Original Auf Lager
12890419
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK40A10N1,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3000 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK40A10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK40A10N1,S4X(S
TK40A10N1S4X
TK40A10N1,S4X-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK10A60W,S4X
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
SSM3J353F,LF
MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
TPC6110(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
