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Hersteller Produktnummer:
TK72A08N1,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK72A08N1,S4X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 80A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
20 Stück Neu Original Auf Lager
12890974
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TK72A08N1,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8200 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK72A08
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TK72A08N1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK72A08N1S4X(S
TK72A08N1,S4X-DG
TK72A08N1S4X
TK80A08K3(Q,M)
TK80A08K3(QM)
TK80A08K3(QM)-DG
TK80A08K3Q-DG
TK80A08K3(Q)
TK80A08K3Q
TK72A08N1S4XINACTIVE
TK72A08N1S4X(S-DG
TK72A08N1S4XS
TK72A08N1,S4X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK4R1A10PL,S4X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
48
TEILNUMMER
TK4R1A10PL,S4X-DG
Einheitspreis
0.77
ERSATZART
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