Hersteller Produktnummer:
TPCF8A01(TE85L)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCF8A01(TE85L)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
12890975
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Menge
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TPCF8A01(TE85L) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
590 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
330mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VS-8 (2.9x1.5)
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
TPCF8A01
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
TPCF8A01CT
TPCF8A01(TE85L)CT
TPCF8A01FTR
TPCF8A01TE85LF
TPCF8A01(TE85L,F)
TPCF8A01TE85L
TPCF8A01(TE85L)DKR
TPCF8A01CTINACTIVE
TPCF8A01FDKR
TPCF8A01(TE85L)TR
TPCF8A01FCT-DG
TPCF8A01TRINACTIVE
TPCF8A01FCT
TPCF8A01TR-DG
TPCF8A01FTR-DG
TPCF8A01CT-DG
TPCF8A01(TE85L,F)-DG
TPCF8A01FDKR-DG
TPCF8A01TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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