Hersteller Produktnummer:
TK6Q65W,S1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK6Q65W,S1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventar:
75 Stück Neu Original Auf Lager
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TK6Q65W,S1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 180µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
390 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
TK6Q65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
TK6Q65W,S1Q(S
TK6Q65WS1Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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