TPW1R005PL,L1Q
Hersteller Produktnummer:

TPW1R005PL,L1Q

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TPW1R005PL,L1Q-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

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TPW1R005PL,L1Q Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
45 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9600 pF @ 22.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DSOP Advance
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
TPW1R005

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPW1R005PLL1QCT
TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
TPW1R005PLL1QDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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