Hersteller Produktnummer:
TK60P03M1,RQ(S
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK60P03M1,RQ(S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12889364
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TK60P03M1,RQ(S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSVI-H
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK60P03
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK60P03M1RQ(S
TK60P03M1RQS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR3709ZTRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5910
TEILNUMMER
IRFR3709ZTRLPBF-DG
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