Hersteller Produktnummer:
TK5R1A08QM,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK5R1A08QM,S4X-DG
Beschreibung:
UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
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12965605
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TK5R1A08QM,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
264-TK5R1A08QMS4X
264-TK5R1A08QM,S4X-DG
264-TK5R1A08QM,S4X
TK5R1A08QM,S4X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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