Hersteller Produktnummer:
IGLD60R070D1AUMA3
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IGLD60R070D1AUMA3-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventar:
1584 Stück Neu Original Auf Lager
12965620
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IGLD60R070D1AUMA3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolGaN™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
380 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-LSON-8-1
Paket / Koffer
8-LDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
448-IGLD60R070D1AUMA3DKR
SP005557209
448-IGLD60R070D1AUMA3CT
448-IGLD60R070D1AUMA3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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