Hersteller Produktnummer:
FDP047N08
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP047N08-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
4680 Stück Neu Original Auf Lager
12847162
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDP047N08 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
164A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9415 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
268W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP047
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
NTGS3433T1G
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
