Hersteller Produktnummer:
TK55D10J1(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK55D10J1(Q)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 140W (Tc) Through Hole TO-220(W)
Inventar:
12890827
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TK55D10J1(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220(W)
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK55D10
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP083N10N5AKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPP083N10N5AKSA1-DG
Einheitspreis
0.71
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