Hersteller Produktnummer:
TK46A08N1,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK46A08N1,S4X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
8 Stück Neu Original Auf Lager
12890851
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK46A08N1,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK46A08
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
264-TK46A08N1,S4X
TK46A08N1,S4X(S
TK46A08N1,S4X-DG
TK46A08N1S4X
TK46A08N1S4X-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK56A12N1,S4X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
53
TEILNUMMER
TK56A12N1,S4X-DG
Einheitspreis
0.78
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
